Тиристор (индуктивная нагрузка) OR-T304X(L)_OR-T306X(L)_OR-T308X(L)-EN-V1

Высокое напряжение изоляции между входом и выходом (Viso: 5000 В, среднеквадратичное значение)

Описание продукта

Инфракрасный чип GaAIAs/GaAs 940

1. Характеристики

(1) Высокое напряжение изоляции между входом и выходом (Viso: 5000 В, среднеквадратичное значение)

(2) 4-контактные оптоизоляторы с пересечением нуля, выход симисторного драйвера

(3) Высокочастотное пиковое напряжение в выключенном состоянии VDRM:

T304X: Мин. 400 В; T306X: Мин. 600 В; T308X: Мин. 800В

(4) Высокая критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии (dV/dt: МИН. 1000 В/мкс)

(5) Двухлинейный комплект; Пакет с широким шагом выводов; Пакет для поверхностного монтажа.

(6) Рабочая температура от -40 ℃ до +110 ℃

(7) Сертификат безопасности

Одобрено UL (№E323844)

Одобрено VDE (№ 40029733)

Одобрено CQC (№ CQC09001029446)

(8) В соответствии со стандартами RoHS, REACH

(9) Класс MSL Ⅰ

 

2. Описание

Устройства серии OR-T304X(L)/306X(L)/308X(L) состоят из инфракрасного диода GaAs, оптически соединенного с монолитным кремниевым фотосимистором, пересекающим нулевое напряжение. Они предназначены для использовать с симистором дискретной мощности в интерфейсе логических систем, таких как твердотельные реле, промышленные средства управления, двигатели, соленоиды и бытовые приборы.

 

3. Диапазон применения

•Приводы электродвигателей переменного тока

•Стартеры для электродвигателей переменного тока

•Статический выключатель питания

•Пульты управления освещением

•Соленоид/управление клапаном

•Твердотельные реле

•Регуляторы температуры

 

4. Абсолютные максимальные значения (Ta=25℃)
 тиристорная оптопара
5. Электрооптические характеристики при Ta=25°C

 тиристорная оптопара

Инфракрасный чип GaAs/GaAs 940

ОТПРАВИТЬ ЗАПРОС