Тиристор (индуктивная нагрузка) OR-MOC304X(L)_OR-MOC306X(L)_OR-MOC308X(L)-EN-V1

Высокое напряжение изоляции между входом и выходом (Viso: 5000 В, среднеквадратичное значение)

Описание продукта

Фотоэлектрические датчики

1. Характеристики

(1) Высокое напряжение изоляции между входом и выходом (Viso: 5000 В, среднеквадратичное значение)

(2) 6-контактные оптоизоляторы с пересечением нуля, выход симисторного драйвера

(3) Высокочастотное пиковое напряжение в выключенном состоянии VDRM.

MOC304X: Мин. 400 В;MOC306X: Мин. 600 В;MOC308X: Мин. 800В

(4) Высокая критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии (dV/dt: МИН. 1000 В/мкс)

(5) Имеют двухлинейный комплект, комплект с широким шагом выводов и комплект для поверхностного монтажа.

(6) Рабочая температура от -40 ℃ до +110 ℃

(7) Сертификат безопасности

Одобрено UL (№E323844)

Одобрено VDE (№ 40029733)

Одобрено CQC (№ CQC19001231480)

(8) В соответствии со стандартами RoHS, REACH

(9) Уровень MSL 1

 

2. Описание

Каждое устройство серии OR-MOC304X(L)/306X(L)/308X(L) состоит из инфракрасного диода GaAs, оптически соединенного с монолитным кремниевым фотосимистором, пересекающим нулевое напряжение. Они предназначены для использовать с симистором дискретной мощности в интерфейсе логических систем, таких как твердотельные реле, промышленные средства управления, двигатели, соленоиды и бытовые приборы.
 

3. Диапазон применения

•Приводы электродвигателей переменного тока

•Стартеры для электродвигателей переменного тока

•Статический выключатель питания

•Пульты управления освещением

•Соленоид/управление клапаном

•Твердотельные реле

•Регуляторы температуры

 

4. Абсолютные максимальные значения (Ta=25℃)
 Фотоэлектрические датчики
 
5. Электрооптические характеристики при Ta=25°C

 Фотоэлектрические датчики

Чип светодиодный фотоэлектрический датчик

ОТПРАВИТЬ ЗАПРОС