Дом ПРОДУКТЫ Оптопара Оптопара Дарлингтона Оптопара Дарлингтона OR-4NXX_OR-TIL113(Дарлингтон)-EN-V3

ПРОДУКТЫ

новые продукты

Darlington Optocoupler OR-4NXX_OR-TIL113(Darlington)-EN-V3

Оптопара Дарлингтона OR-4NXX_OR-TIL113(Дарлингтон)-EN-V3

Каждое устройство серии TIL113, 4NXX состоит из инфракрасного излучающего диода, оптически соединенного с детектором Дарлингтона. Они упакованы в 6-контактный корпус DIP и доступны с широким расстоянием между выводами и в варианте SMD.

Отправить запрос

Описание продукта

Оптопара Дарлингтона

Оптопара Дарлингтона OR-4NXX_OR-TIL113(Darlington)-EN-V3

Характеристики 6}

(1) 4NXX серии: 4N29, 4N30, 4N31, 4N32,   TIL113 серия : TIL113.

(2) Высокое напряжение изоляции   между вход и выход (Viso=5000 В среднеквадратичное значение)

(3) Расстояние утечки   >7,62 мм

(4) Рабочая температура от до +115°C

(5) Компактный двухлинейный комплект

(6) Утверждение безопасности

Одобрено UL (№E323844)

Одобрено VDE (№ 40029733)

Одобрено CQC (№ CQC19001231480 )

(7) В соответствии с    RoHS, Стандарты REACH .

(8) MSL Класс Ⅰ

Инструкции

Каждое устройство серии TIL113, 4NXX состоит из инфракрасного излучающего диода, оптически соединенного с детектором Дарлингтона. Они упакованы в 6-контактный DIP-корпус, доступен с широким расстоянием между выводами и в варианте SMD.

Диапазон применения

Логические схемы малой мощности

Телекоммуникационное оборудование

Портативная электроника

Системы сопряжения с различными потенциалами и импедансами

Максимальное абсолютное номинальное значение (нормальная температура = 25℃)

Параметр

Символ

Номинальное значение

Блок

Ввод

Прямой ток

ЕСЛИ

60

мА

Температура соединения

ТДж

125

℃

Обратное напряжение

ВР

6

В

Рассеиваемая мощность (TA = 25°C) Коэффициент снижения номинальных характеристик (выше 100°C)

ПД

120

МВт

3,8

мВт/°C

Выход

Напряжение коллектор-эмиттер

ВЦЕО

80

В

Напряжение коллектор-база

ВКБО

80

Эмиттер-коллектор напряжения

ВЕКО

7

Напряжение эмиттер-база

ВЕБО

7

Рассеиваемая мощность (T A = 25°C) Коэффициент снижения номинальных характеристик (выше 100°C)

ПК

150

МВт

6,5

мВт/°C

Общая потребляемая мощность

Птот

200

МВт

*1 Напряжение изоляции

Висо

5000

Врмс

Рабочая температура

Топр

от -55 до + 115

℃

Температура депозита

ТСГ

от -55 до + 150

*2 Температура пайки

ТСОЛ

260

*1. Испытание переменным током, 1 минута, влажность = 40–60 %. Метод испытания изоляции приведен ниже:

Закоротите обе клеммы фотопары.

Ток при проверке напряжения изоляции.

Добавление синусоидального напряжения при тестировании

*2. время пайки 10 секунд.

Оптоэлектронные характеристики

Параметр

Символ

мин

Тип*

Макс

Блок

Состояние

Ввод

Прямое напряжение

ВФ

---

1,2

1,5

В

ЕСЛИ=10 мА

Обратный ток

ИК

---

---

10

мкА

VR=6В

Емкость коллектора

Цин

---

50

---

пФ

В=0, f=1МГц

Выход

Коллектор-база темного тока

ИКБО

---

---

20

нет данных

VCB=10 В

Коллектор-эмиттер Ток

ИКЕО

---

---

100

нет данных

VCE=10 В, IF=0 мА

Напряжение затухания коллектор-эмиттер

БВЦЕО

55

---

---

В

IC=1 мА

Напряжение пробоя коллектора-базы

БВКБО

55

---

---

В

IC=0,1 мА

Напряжение затухания эмиттер-коллектор

БВЕКО

7

---

---

В

IE=0,1 мА

Трансформирующие характеристики

Коэффициент передачи тока

4N32,4N33

CTR

500

---

---

%

IF=10 мА VCE=10 В

4N29,4N30

100

---

---

4Н31

50

---

---

TIL113

300

---

---

IF=10mAVCE=1В

Напряжение насыщения коллектора и эмиттера

4Н29, 4Н30, 4Н32,4Н33

VCE(сб)

---

---

1,0

В

IF=8 мА IC=2 мА

4N31,TIL113

---

---

1,2

IF=8 мА, IC=2 мА

Сопротивление изоляции

Ризо

1011

---

---

Ом

500 В постоянного тока, 40–60 % относительной влажности.

Емкость ввода-вывода

Директор по информационным технологиям

---

0,8

---

пФ

VIO=0, f=1МГц

Время отклика

тр

---

3

10

мкс

VCC=10 В, IC=10 мАRL=100 Ом

Время снижения

TF

---

6

10

мкс

Коэффициент преобразования тока = IC / IF × 100%

Информация для заказа

Номер детали

W

или OR-TIL113Y-Z-W

Примечание

4NXX = номер детали (4N29,4N 30,4Н31,4Н32 или 4N33)

TIL113= Номер детали

Y = вариант формы для потенциальных клиентов (S, M или нет)

Z = опция с лентой и катушкой (TA, TA1 или нет).

W = код V для безопасности VDE (эта опция не обязательна).

*Код VDE может быть выбран.

Опция

Описание

Количество в упаковке

Нет

Стандарт ДИП-6

66 шт. на трубку

М

Широкий проводной изгиб (между 0,4 дюйма)

66 шт. на трубку

С(ТА)

Выводная форма для поверхностного монтажа (низкий профиль) + лента TA и катушка (опция)

1000 штук в катушке

С(ТА1)

Выводная форма для поверхностного монтажа (низкий профиль) + лента и катушка TA1 (опция)

1000 штук в катушке

Инфракрасный чип GaAIAs/GaAs 940

сопутствующие товары

Оптопара Дарлингтона ORPC-852-EN-V3

Оптопара Дарлингтона ORPC-852-2 EN-V3

Оптопара Дарлингтона ORPC-825-EN-V1

Оптопара Дарлингтона ORPC-815-EN-V5

Оптопара Дарлингтона OR-352-EN-V4

Оптопара Дарлингтона OR-3H5-EN-V4

Оптопара Дарлингтона OR-3H5-4

ОТПРАВИТЬ ЗАПРОС

Параметр		Символ	Номинальное значение	Блок
Ввод	Прямой ток	ЕСЛИ	60	мА
	Температура соединения	ТДж	125	℃
	Обратное напряжение	ВР	6	В
	Рассеиваемая мощность (TA = 25°C) Коэффициент снижения номинальных характеристик (выше 100°C)	ПД	120	МВт
		ПД	3,8	мВт/°C
Выход	Напряжение коллектор-эмиттер	ВЦЕО	80	В
	Напряжение коллектор-база	ВКБО	80
	Эмиттер-коллектор напряжения	ВЕКО	7
	Напряжение эмиттер-база	ВЕБО	7
	Рассеиваемая мощность (T A = 25°C) Коэффициент снижения номинальных характеристик (выше 100°C)	ПК	150	МВт
		ПК	6,5	мВт/°C
Общая потребляемая мощность		Птот	200	МВт
*1 Напряжение изоляции		Висо	5000	Врмс
Рабочая температура		Топр	от -55 до + 115	℃
Температура депозита		ТСГ	от -55 до + 150
*2 Температура пайки		ТСОЛ	260

Параметр			Символ	мин	Тип*	Макс	Блок	Состояние
Ввод	Прямое напряжение		ВФ	---	1,2	1,5	В	ЕСЛИ=10 мА
	Обратный ток		ИК	---	---	10	мкА	VR=6В
	Емкость коллектора		Цин	---	50	---	пФ	В=0, f=1МГц
Выход	Коллектор-база темного тока		ИКБО	---	---	20	нет данных	VCB=10 В
	Коллектор-эмиттер Ток		ИКЕО	---	---	100	нет данных	VCE=10 В, IF=0 мА
	Напряжение затухания коллектор-эмиттер		БВЦЕО	55	---	---	В	IC=1 мА
	Напряжение пробоя коллектора-базы		БВКБО	55	---	---	В	IC=0,1 мА
	Напряжение затухания эмиттер-коллектор		БВЕКО	7	---	---	В	IE=0,1 мА
Трансформирующие характеристики	Коэффициент передачи тока	4N32,4N33	CTR	500	---	---	%	IF=10 мА VCE=10 В
		4N29,4N30		100	---	---
		4Н31		50	---	---
		TIL113		300	---	---		IF=10mAVCE=1В
	Напряжение насыщения коллектора и эмиттера	4Н29, 4Н30, 4Н32,4Н33	VCE(сб)	---	---	1,0	В	IF=8 мА IC=2 мА
	Напряжение насыщения коллектора и эмиттера	4N31,TIL113	VCE(сб)	---	---	1,2	В	IF=8 мА, IC=2 мА
	Сопротивление изоляции		Ризо	1011	---	---	Ом	500 В постоянного тока, 40–60 % относительной влажности.
	Емкость ввода-вывода		Директор по информационным технологиям	---	0,8	---	пФ	VIO=0, f=1МГц
	Время отклика		тр	---	3	10	мкс	VCC=10 В, IC=10 мАRL=100 Ом
	Время снижения		TF	---	6	10	мкс	VCC=10 В, IC=10 мАRL=100 Ом

Опция	Описание	Количество в упаковке
Нет	Стандарт ДИП-6	66 шт. на трубку
М	Широкий проводной изгиб (между 0,4 дюйма)	66 шт. на трубку
С(ТА)	Выводная форма для поверхностного монтажа (низкий профиль) + лента TA и катушка (опция)	1000 штук в катушке
С(ТА1)	Выводная форма для поверхностного монтажа (низкий профиль) + лента и катушка TA1 (опция)	1000 штук в катушке